Une diode électroluminescente (également appelée DEL ou LED : light-emitting diode) est un composant électronique capable d'émettre de la lumière lorsqu'il est parcouru par un courant électrique.
Une LED produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une transformation d'énergie. Elle a un spectre d'émission continu et fait partie de la famille des composants optoélectroniques.
Nick Holonyak Jr. (né en 1928) est le premier à avoir créé une diode à spectre visible en 1962.
C'est lors de la recombinaison d'un électron et d'un trou dans un semiconducteur qu'il y a émission d'un photon. En effet, la transition d'un électron entre la bande de conduction et la bande de valence peut se faire avec la conservation du vecteur d'onde . Elle est alors radiative (émissive) et elle s'accompagne de l'émission d'un photon. Dans une transition émissive, l'énergie du photon créé est donnée par la différence des niveaux d'énergie avant (Ei) et après (Ef) la transition : hν = Ei − Ef (eV)
Une diode électroluminescente est une jonction PN qui doit être polarisée en sens direct lorsqu'on veut émettre de la lumière. La plupart des recombinaisons sont radiatives. La face émettrice de la led est la zone P car elle est la plus radiative.
On définit plusieurs rendements qui mettent en évidence les limites de la LED :
Sa valeur maximale permet de déterminer le dopage NA à utiliser.
La longueur d'onde du rayonnement émis est déterminée par la largeur de la bande interdite et dépend donc du matériau utilisé. Toutes les valeurs du spectre lumineux peuvent être atteintes avec les matériaux actuels. Pour obtenir de l'infrarouge, le matériau adapté est l'arséniure de gallium (GaAs) avec comme dopant du Si ou du Zn. Les fabricants proposent de nombreux types de diodes aux spécificités différentes. On peut citer le type le plus répandu : les diodes à l'GaAs, ce sont les plus économiques et ont un usage général. Bien qu'elles nécessitent une tension directe plus élevée, les diodes à l'GaAlAs offrent une plus grande puissance de sortie, ont une longueur d'onde plus courte (< 950nm, ce qui correspond au maximum de sensibilité des détecteurs au silicium) et présentent une bonne linéarité jusqu'à 1.5A. Enfin, les diodes à double hétérojonction (DH) GaAlAs offrent les avantages des deux techniques précédentes (faible tension directe) en ayant des temps de commutation très courts (durée nécessaire pour qu'un courant croisse de 10% à 90% de sa valeur finale ou pour décroisse de 90% à 10%), ce qui permet des débits de données très élevés dans les transmissions de données numériques par fibres optiques. Les temps de commutation dépendent de la capacité de la jonction dans la diode.
Ce composant peut être encapsulé dans diverses formes destinées à canaliser le flux de lumière émise de façon précise: cylindrique à bout arrondi en 3, 5, 8 et 10mm de diamètre, cylindrique à bout plat, rectangulaire, sur support coudé, en technologie traversante ou à monter en surface (CMS).
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Couleur | Longueur d'onde (nm) | Tension de seuil (V) | semi-conducteur utilisé |
---|---|---|---|
IR | λ>760 | ΔV<1.63 | arséniure de gallium/aluminium (AlGaAs) |
Rouge | 610<λ<760 | 1.63<ΔV<2.03 | arséniure de gallium/aluminium (AlGaAs) arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) |
Orange | 590<λ<610 | 2.03<ΔV<2.10 | arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) |
Jaune | 570<λ<590 | 2.10<ΔV<2.18 | arséniure/phosphure de gallium (GaAsP) |
Vert | 500<λ<570 | 2.18<ΔV<2.48 | nitrure de gallium (GaN) phosphure de gallium (GaP) |
Bleu | 450<λ<500 | 2.48<ΔV<2.76 | séléniure de zinc (SnSe) nitrure de gallium/indium (InGaN) carbure de silicium (SiC) |
Violet | 400<λ<450 | 2.76<ΔV<3.1 | |
Ultraviolet | λ<400 | ΔV>3.1 | diamant (C) |
Blanc | xxx | ΔV=3,5 |
La patte la plus longue est l'anode et la plus courte et la cathode. Si les pattes ont été coupées, on peut repérer la cathode au méplat qui se trouve du même coté.
Couleur | Tension de seuil VF @ courant direct IF |
---|---|
Rouge | 2.0V @ 10mA |
Verte | 2.1V @ 10mA |
Jaune | 2.1V @ 10mA |
Orange | 2.0V @ 10mA |
Bleue | 3.6V @ 20mA |
couleur | Tension de seuil VF @ courant direct IF |
---|---|
Rouge | 1.7V @ 2mA |
Verte | 1.9V @ 2mA |
Jaune | 1.8V @ 2mA |
couleur | Tension de seuil VF @ courant direct IF |
---|---|
Rouge | 1.7V @ 20mA |
Verte | 2.1V @ 20mA |
Jaune | 2.0V @ 20mA |
Bleue | 3.6V @ 20mA |
Blanche | 3.6V @ 20mA |
Rose | 3.4V @ 20mA |
On souhaite simplement allumer une led avec un source de tension de 5V. On va approximer la tension de seuil de la diode à 2V @ 10mA. Pour imposer ce courant de 10mA, il est indispensable d'utiliser une résistance, en série avec la LED, dont la valeur se détermine par :
Ce qui donne, dans la série E12, une résistance de 330 ohms.
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